參數(shù)資料
型號： PH8230
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 30 A, 30 V, 0.0082 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-5
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 214K
代理商： PH8230
Philips Semiconductors
PH8230
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 23 June 2003
7 of 12
9397 750 11118
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
03am27
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-100
0
100
200
VGS(th)
(V)
Tj (
°
C)
03am28
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
0
1
2
3
VGS (V)
ID
(A)
min
typ
max
03am29
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
03am30
0
20
40
60
80
0
0.5
1
1.5
VSD (V)
IS
(A)
150
°
C
Tj = 25
°
C
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PDF描述
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PH965C6 SPECIFICATION
PH967C6 SPECIFICATION
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