參數(shù)資料
型號： PHB55N03
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： TrenchMOS晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： PHB55N03
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP55N04LT, PHB55N04LT
PHD55N04LT
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.19. SOT428 : soldering pattern for surface mounting
.
7.0
7.0
2.15
2.5
4.57
1.5
January 2001
10
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB55N03T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHD6N10E PowerMOS transistor
PHD71NQ03LT Triple 1.8V to 6V High-Side MOSFET Drivers; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHP71NQ03LT TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
PHB71NQ03LT Rail-to-Rail Input Rail-to-Rail Output Zero-Drift Op Amp; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: -40°C to +85°C
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHB55N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHB55N03LTA 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:55 A, 25 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
PHB55N03LTA,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB55N03LTT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 55A I(D) | SOT-404
PHB55N03T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
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