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參數(shù)資料
| 型號： | PHB55N04LT |
| 元件分類： | 基準(zhǔn)電壓源/電流源 |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| 中文描述： | 抗輻射高效，5安培開關(guān)穩(wěn)壓器 |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | PHB55N04LT |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP55N04LT, PHB55N04LT
PHD55N04LT
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.19. SOT428 : soldering pattern for surface mounting
.
7.0
7.0
2.15
2.5
4.57
1.5
January 2001
10
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB55N03 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB55N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHD6N10E | PowerMOS transistor |
| PHD71NQ03LT | Triple 1.8V to 6V High-Side MOSFET Drivers; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PHP71NQ03LT | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB5N40T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-404 |
| PHB-5R0H155-R | 功能描述:超級電容/超級電容器 CAP,1.5F,5.0V,EDLC PHB SERIES HORZ RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類型:SMD/SMT 引線間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
| PHB-5R0H255-R | 功能描述:超級電容/超級電容器 CAP,2.5F,5.0V,EDLC PHB SERIES HORZ RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類型:SMD/SMT 引線間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
| PHB-5R0H305-R | 功能描述:超級電容/超級電容器 CAP,3.0F,5.0V,EDLC PHB SERIES HORZ RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類型:SMD/SMT 引線間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
| PHB-5R0H505-R | 功能描述:超級電容/超級電容器 CAP,5.0F,5.0V,EDLC PHB SERIES HORZ RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類型:SMD/SMT 引線間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
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