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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB55N04LT |
| 元件分類(lèi)： | 基準(zhǔn)電壓源/電流源 |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| 中文描述： | 抗輻射高效，5安培開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | PHB55N04LT |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP55N04LT, PHB55N04LT
PHD55N04LT
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
.
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
.
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
)
; conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
.
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
)
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Drain Current, ID (A)
2.2 V
2.4 V
Tj = 25 C
VGS = 10 V
2 V
2.6 V
4.5 V
2.8 V
3 V
5 V
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Drain current, ID (A)
Transconductance, gfs (S)
Tj = 25 C
175 C
VDS > ID X RDS(ON)
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0
5
10
15
25
30
35
40
45
50
Drai20
Drain-Source On Resistance, RDS(on) (Ohms)
VGS =4.5 V
10V
Tj = 25 C
2.8V
3 V
2.6 V
2.2 V
2.4 V
5 V
Normalised On-state Resistance
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
Junction temperature, Tj (C)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Gate-source voltage, VGS (V)
Drain current, ID (A)
VDS > ID X RDS(ON)
Tj = 25 C
175 C
Threshold Voltage, VGS(TO) (V)
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
-60
-40
-20
0
20
Junction Temperature, Tj (C)
40
60
80
100
120
140
160
180
typical
maximum
minimum
January 2001
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB55N03 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB55N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHD6N10E | PowerMOS transistor |
| PHD71NQ03LT | Triple 1.8V to 6V High-Side MOSFET Drivers; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PHP71NQ03LT | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB5N40T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-404 |
| PHB-5R0H155-R | 功能描述:超級(jí)電容/超級(jí)電容器 CAP,1.5F,5.0V,EDLC PHB SERIES HORZ RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類(lèi)型:SMD/SMT 引線間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
| PHB-5R0H255-R | 功能描述:超級(jí)電容/超級(jí)電容器 CAP,2.5F,5.0V,EDLC PHB SERIES HORZ RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類(lèi)型:SMD/SMT 引線間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
| PHB-5R0H305-R | 功能描述:超級(jí)電容/超級(jí)電容器 CAP,3.0F,5.0V,EDLC PHB SERIES HORZ RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類(lèi)型:SMD/SMT 引線間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
| PHB-5R0H505-R | 功能描述:超級(jí)電容/超級(jí)電容器 CAP,5.0F,5.0V,EDLC PHB SERIES HORZ RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類(lèi)型:SMD/SMT 引線間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
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