參數(shù)資料
型號(hào)： S71GL064A08BAW0F3
廠(chǎng)商： SPANSION LLC
元件分類(lèi)： 存儲(chǔ)器
英文描述： Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
封裝： 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-56
文件頁(yè)數(shù)： 15/134頁(yè)
文件大?。?/td> 2383K
代理商： S71GL064A08BAW0F3
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)當(dāng)前第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)
February 8, 2005 S71GL064A_00_A2
pSRAM Type 7
109
Adva nc e
inf o r m at ion
AC Characteristics
Power Down Parameters
Notes:
1. Applicable also to power-up.
2. Applicable when 4Mb and 8Mb Partial modes are programmed.
Other Timing Parameters
Notes:
1. Some data might be written into any address location if tCHWX(min) is not satisfied.
2. The Input Transition Time (tT) at AC testing is 5ns as shown in below. If actual tT is longer than 5ns, it can violate the AC
specification of some of the timing parameters.
Parameter
Symbol
16M
32M
64M
Unit
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
CE2 Low Setup Time for Power Down Entry
tCSP
10
—
10
—
10
—
ns
CE2 Low Hold Time after Power Down Entry
tC2LP
80
—
65
—
65
—
ns
CE1# High Hold Time following CE2 High after Power
Down Exit [SLEEP mode only]
tCHH
300
—
300
—
300
—
s
1
CE1# High Hold Time following CE2 High after Power
Down Exit [not in SLEEP mode]
tCHHP
N/A
1
—
1
—
s
2
CE1# High Setup Time following CE2 High after Power
Down Exit
tCHS
0
—
0
—
0
—
ns
1
Parameter
Symbol
16M
32M
64M
Unit
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
CE1# High to OE# Invalid Time for Standby Entry
tCHOX
10
—
10
—
10
—
ns
CE1# High to WE# Invalid Time for Standby Entry
tCHWX
10
—
10
—
10
—
ns
1
CE2 Low Hold Time after Power-up
tC2LH
50
—
50
—
50
—
s
CE1# High Hold Time following CE2 High after Power-up
tCHH
300
—
300
—
300
—
s
Input Transition Time
tT
1
25
1
25
1
25
ns
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S71GL064A08BFI0B2 Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM
S71GL064A08BFI0B3 Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM
S71GL064A08BFI0F3 Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM
S71GL064A08BFW0B2 Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM
S71GL064A08BFW0B3 Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S71GL064A08BFI0B0 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM
S71GL064A08BFI0B2 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM
S71GL064A08BFI0B3 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM
S71GL064A08BFI0F0 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM
S71GL064A08BFI0F2 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*