參數(shù)資料
型號： SI4136M-EVB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 16/34頁
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描述： BOARD EVALUATION FOR SI4136
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
類型： 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品： SI4136
已供物品： 板，CD
其它名稱： 336-1119
Si4136/Si4126
Rev. 1.41
23
Register 1. Phase Detector Gain Address Field (A[3:0]) = 0001
Bit
D17 D16 D15 D14 D13 D12 D11 D10
D9D8D7D6D5D4D3D2D1
D0
Name
000
0
000
0000
KPI
KP2
KP1
Bit
Name
Function
17:6
Reserved
Program to zero.
5:4
KPI
IF Phase Detector Gain Constant.
N Value
KPI
<2048
= 00
2048–4095
= 01
4096–8191
= 10
>8191
= 11
3:2
KP2
RF2 Phase Detector Gain Constant.
N Value
KP2
<2048
= 00
2048–4095
= 01
4096–8191
= 10
>8191
= 11
1:0
KP1
RF1 Phase Detector Gain Constant.
N Value
KP1
<4096
= 00
4096–8191
= 01
8192–16383
= 10
>16383
= 11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4126M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4126
SI4123M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4123
GLAA01B SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT
SI4122M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4122
SI4113M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4113
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4154DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4154DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4156DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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SI4156DY-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 24A
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