參數(shù)資料
型號： SI4136M-EVB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 24/34頁
文件大?。?/td> 0K
描述： BOARD EVALUATION FOR SI4136
標準包裝： 1
類型： 合成器
適用于相關產(chǎn)品： SI4136
已供物品： 板，CD
其它名稱： 336-1119
Si4136/Si4126
30
Rev. 1.41
8. Package Outline: Si4136-BT/GT
Figure 18 illustrates the package details for the Si4136-BT/GT. Table 12 lists the values for the dimensions shown
in the illustration.
Figure 18. 24-Pin Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP)
Table 12. Package Diagram Dimensions
Symbol
Millimeters
Min
Nom
Max
A—
—
1.20
A1
0.05
—
0.15
b
0.19
—
0.30
c
0.09
—
0.20
D7.70
7.80
7.90
e
0.65 BSC
E
6.40 BSC
E1
4.30
4.40
4.50
L
0.450.600.75
0°
—
8°
aaa
0.10
bbb
0.10
ccc
0.05
ddd
0.20
E1
E
e
D
L
C
A
A1
b
E/2
bbb
C B A
M
2x
ddd C B A
A
ccc
24x
aaa C
Seating Plane
C
相關PDF資料
PDF描述
SI4126M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4126
SI4123M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4123
GLAA01B SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT
SI4122M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4122
SI4113M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4113
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI4154DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4154DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4156DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4156DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 24A 6.0W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4156DY-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 24A
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