參數(shù)資料
型號: SI4136M-EVB
廠商: Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù): 17/34頁
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描述: BOARD EVALUATION FOR SI4136
標準包裝: 1
類型: 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品: SI4136
已供物品: 板,CD
其它名稱: 336-1119
Si4136/Si4126
24
Rev. 1.41
Register 2. Powerdown Address Field (A[3:0]) = 0010
Bit
D17 D16 D15 D14 D13 D12 D11 D10
D9
D8D7D6D5D4
D3
D2
D1
D0
Name
00000000000
0000
0
PDIB PDRB
Bit
Name
Function
17:2
Reserved
Program to zero.
1PDIB
Powerdown IF Synthesizer.
0 = IF synthesizer powered down.
1 = IF synthesizer on.
0
PDRB
Powerdown RF Synthesizer.
0 = RF synthesizer powered down.
1 = RF synthesizer on.
Register 3. RF1 N Divider Address Field (A[3:0]) = 0011
Bit
D17 D16 D15 D14 D13 D12 D11 D10
D9D8
D7D6D5D4D3D2D1D0
Name
NRF1
Bit
Name
Function
17:0
NRF1
N Divider for RF1 Synthesizer.
NRF1 992.
Register 4. RF2 N Divider Address Field = A[3:0] = 0100
Bit
D17 D16 D15 D14 D13 D12 D11 D10
D9D8
D7D6D5D4D3D2D1D0
Name
0NRF2
Bit
Name
Function
17
Reserved
Program to zero.
16:0
NRF2
N Divider for RF2 Synthesizer.
NRF2 240.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4126M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4126
SI4123M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4123
GLAA01B SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT
SI4122M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4122
SI4113M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4113
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4154DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4154DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4156DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4156DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 24A 6.0W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4156DY-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 24A