- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄18712 > SI4136M-EVB (Silicon Laboratories Inc)BOARD EVALUATION FOR SI4136 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SI4136M-EVB |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 29/34頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4136 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 類型： | 合成器 |
| 適用于相關(guān)產(chǎn)品： | SI4136 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名稱： | 336-1119 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁當(dāng)前第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁
Si4136/Si4126
4
Rev. 1.41
1. Electrical Specifications
Table 1. Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Ambient Temperature
TA
–40
25
85
°C
Supply Voltage
V
DD
2.7
3.0
3.6
V
Supply Voltages Difference
V
(VDDR – VDDD),
(VDDI – VDDD)
–0.3
—
0.3
V
Note:
All minimum and maximum specifications are guaranteed and apply across the recommended operating conditions.
Typical values apply at nominal supply voltages and an operating temperature of 25°C unless otherwise stated.
Table 2. Absolute Maximum Ratings1,2
Parameter
Symbol
Value
Unit
DC Supply Voltage
VDD
–0.5 to 4.0
V
Input Current3
I
IN
±10
mA
Input Voltage3
VIN
–0.3 to VDD+0.3
V
Storage Temperature Range
TSTG
–55 to 150
oC
Notes:
1. Permanent device damage may occur if the above Absolute Maximum Ratings are exceeded. Functional operation
should be restricted to the conditions as specified in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
2. This device is a high performance RF integrated circuit with an ESD rating of < 2 kV. Handling and assembly of
this device should only be done at ESD-protected workstations.
3. For signals SCLK, SDATA, SEN, PWDN, and XIN.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4126M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4126 |
| SI4123M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4123 |
| GLAA01B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT |
| SI4122M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4122 |
| SI4113M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4154DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI4154DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4156DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4156DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 24A 6.0W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4156DY-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 24A |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。