參數(shù)資料
型號(hào)： SKP02N60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
中文描述： 快速IGBT在不擴(kuò)散核武器條約與軟，恢復(fù)快反平行快恢復(fù)二極管技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
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代理商： SKP02N60
SKP02N60
SKB02N60
8
Jul-02
V
G
,
G
-
E
0nC
5nC
Q
GE
,
GATE CHARGE
10nC
15nC
0V
5V
10V
15V
20V
25V
480V
120V
C
,
C
0V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 18. Typical capacitance as a
function of collector-emitter voltage
(
V
GE
= 0V,
f
= 1MHz)
10V
20V
30V
10pF
100pF
C
rss
C
oss
C
iss
Figure 17. Typical gate charge
(
I
C
= 2A)
t
s
,
S
10V
11V
12V
13V
14V
15V
0
μ
s
5
μ
s
10
μ
s
15
μ
s
20
μ
s
25
μ
s
I
C
,
S
10V
12V
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 20. Typical short circuit collector
current as a function of gate-emitter voltage
(
V
CE
≤
600V,
T
j
= 150
°
C)
14V
16V
18V
20V
0A
10A
20A
30A
40A
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 19. Short circuit withstand time as a
function of gate-emitter voltage
(
V
CE
= 600V, start at
T
j
= 25
°
C)
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PDF描述
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