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參數(shù)資料
| 型號： | T431616D |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 72/74頁 |
| 文件大?。?/td> | 781K |
| 代理商： | T431616D |
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TE
CH
tm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 74
Publication Date: FEB. 2007
to change products or specifications without notice.
Revision: A
60-Ball (6.4mm x 10.1mm)VFBGA
Units in mm
R P N M L K J H G F E D CBA
1
2
3
4
5
6
7
AB C D E F G H J K L M NP R
1
2
3
4
5
6
7
TOPVIEW
BOTTOMVIEW
AB
C
A1
B1
C1
D
D1
E E1
E2
E3
SEATING PLANE
A1 CORNER
Dimension in mm
Dimension in inch
Symbol
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
A
6.30
6.40
6.50
0.248
2.52
2.56
A1
10.00
10.10
10.20
0.394
0.398
0.402
B
-
3.90(typ)
-
0.154(typ)
-
B1
-
9.10(typ)
-
0.358(typ)
-
C
-
0.65(typ)
-
0.026(typ)
-
C1
0.65(typ)
-
0.026(typ)
-
D
0.35
0.4
0.45
0.014
0.016
0.018
D1
0.35
0.4
0.45
0.014
0.016
0.018
E
0.22
0.27
0.32
0.009
0.11
0.13
E1
-
1.00*
-
0.039
E2
-
0.21
-
0.008
-
E3
0.42
0.45
0.48
0.017
0.018
0.019
Note : * if lead free package “E1” max.=1.2mm(0.047 inch)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616E | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T450N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T451N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T523-020.00M | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
| T613-020.00M | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616D-5C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5CG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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