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參數(shù)資料
| 型號： | UPD4564323G5-A10B-9JH |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| 中文描述： | 6400位同步DRAM 4銀行，LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 25/84頁 |
| 文件大?。?/td> | 1048K |
| 代理商： | UPD4564323G5-A10B-9JH |
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Data Sheet M14376EJ2V0DS00
25
μ
PD4564323 for Rev.
E
10.2 Write with Auto Precharge
During a write cycle, the auto precharge starts at the timing that is equal to the value of the t
DPL (MIN.)
after the last
data word input to the device.
DB1
DB2
DB3
DB4
Auto precharge starts
WRITA B
Hi-Z
DB1
DB2
DB3
DB4
Auto precharge starts
WRITA B
Hi-Z
DQ
Command
DQ
Command
/CAS latency = 2
/CAS latency = 3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Burst length = 4
(t
RAS
must be satisfied)
t
DPL(MIN.)
t
DPL(MIN.)
Remark
WRITA means Write with Auto Precharge
In summary, the auto precharge begins relative to a reference clock that indicates the last data word is valid.
In the table below, minus means clocks before the reference; plus means after the reference.
/CAS latency
Read
Write
2
–1
+t
DPL (MIN.)
3
–2
+t
DPL (MIN.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD4564323G5-A60-9JH | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564323G5-A80-9JH | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564323G5-A70-9JH | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD46128512-E10X | 128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
| UPD46128512-E11X | 128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD4564323G5-A10BL-9HJ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPD45D128442G5C759LG | 制造商:NEC 功能描述:* |
| UPD4701AC-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| UPD4702C-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| UPD4702G-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
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