參數(shù)資料
型號(hào)： UPD4564323G5-A10B-9JH
廠商： NEC Corp.
英文描述： 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
中文描述： 6400位同步DRAM 4銀行，LVTTL
文件頁(yè)數(shù)： 64/84頁(yè)
文件大?。?/td> 1048K
代理商： UPD4564323G5-A10B-9JH
D
6
μ
P
E
Interleaved Column Write Cycle (2/2) (Burst Length = 4, /CAS Latency = 3)
CLK
CKE
/CS
/RAS
/CAS
/WE
BA0
A10
ADD
DQM
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
T18
T19
T20
T21
L
Hi-Z
Aa1
Aa2
Aa3
Aa4
Ba1
Ba2
Bc1
Bc2
Bd1
Bd2
H
Ab1
Ab2
Bb1
Bb2
RAa
RBa
RAa
CAb
CBc
RBa
CBa
CBb
CAa
CBd
Bd3
Bd4
Activate
Command
for Bank A
Write
Command
for Bank A
Activate
Command
for Bank B
Write
Command
for Bank B
Write
Command
for Bank A
Precharge
Command
for Bank A
Precharge
Command
for Bank B
Write
Command
for Bank B
Write
Command
for Bank B
Write
Command
for Bank B
BA1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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UPD46128512-E10X 128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
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參數(shù)描述
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