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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W25Q16DWSFIG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16 |
| 封裝： | 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-16 |
| 文件頁數(shù)： | 25/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 1268K |
| 代理商： | W25Q16DWSFIG |
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W25Q16DW
Publication Release Date: April 01, 2011
- 31 -
Preliminary - Revision A
10.2.14 Fast Read Quad Output (6Bh)
The Fast Read Quad Output (6Bh) instruction is similar to the Fast Read Dual Output (3Bh) instruction
except that data is output on four pins, IO0, IO1, IO2, and IO3. A Quad enable of Status Register-2 must be
executed before the device will accept the Fast Read Quad Output Instruction (Status Register bit QE
must equal 1). The Fast Read Quad Output Instruction allows data to be transferred from the W25Q16DW
at four times the rate of standard SPI devices.
The Fast Read Quad Output instruction can operate at the highest possible frequency of FR (see AC
Electrical Characteristics). This is accomplished by adding eight “dummy” clocks after the 24-bit address
as shown in Figure 13. The dummy clocks allow the device's internal circuits additional time for setting up
the initial address. The input data during the dummy clocks is “don’t care”. However, the IO pins should be
high-impedance prior to the falling edge of the first data out clock.
/CS
CLK
Mode 0
Mode 3
0
1
2
3
4
5
6
7
Instruction (6Bh)
High Impedance
8
9
10
28
29
30
32
33
34
35
36
37
38
39
4
0
24-Bit Address
23
22
21
3
2
1
0
*
31
/CS
CLK
Dummy Clocks
0
40
41
42
43
44
45
46
47
5
1
High Impedance
4
5
High Impedance
6
2
Byte 1
7
3
High Impedance
6
7
High Impedance
4
0
5
1
6
2
7
3
4
0
5
1
6
2
7
3
4
0
5
1
6
2
7
3
IO
0 switches from
Input to Output
IO
0
IO
1
IO
2
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
Byte 2
Byte 3
Byte 4
IO
3
= MSB
*
Figure 13. Fast Read Quad Output Instruction (SPI Mode only)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WMF128K8-90FFC5 | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, CDSO32 |
| WMF128K8-70CLC5 | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, CQCC32 |
| WS128K64V-20G4WM | 1M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQMA116 |
| WS512K32-20G2M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WS512K32F-25G4TM | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 25 ns, QMA68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25Q16DWSFIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
| W25Q16DWSNIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
| W25Q16DWSNIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
| W25Q16DWSSIG | 功能描述:IC FLASH SPI 16MBIT 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| W25Q16DWSSIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
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