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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W9864G6DB-7 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 4 BANKS x 16 BITS SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 0.65 MM PITCH, BGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 14/48頁 |
| 文件大小： | 1283K |
| 代理商： | W9864G6DB-7 |
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W986432DH
- 14 -
10. ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Rating
PARAMETER
SYM.
V
IN
, V
OUT
RATING
-0.3
V
CC
+0.3
-0.3
4.6
0
70
-25
85
-55
150
260
UNIT
V
NOTES
1
Input, Column Output Voltage
Power Supply Voltage
V
CC,
V
CCQ
V
1
Operating Temperature (-5/-6/-7/-7L)
T
OPR
°
C
1
Operating Temperature (6I)
T
OPR
°
C
1
Storage Temperature
T
STG
°
C
1
Soldering Temperature (10s)
T
SOLDER
°
C
1
Power Dissipation
P
D
1
W
1
Short Circuit Output Current
I
OUT
50
mA
1
Note: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability
of the device.
Recommended DC Operating Conditions
(T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYM.
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
NOTES
Power Supply Voltage
V
CC
3.0
3.3
3.6
V
2
Supply Voltage for W986432DH-7L
During Self Refresh Mode
V
CC
2.7
3.3
3.6
V
2
Power Supply Voltage (for I/O Buffer)
V
CCQ
3.0
3.3
3.6
V
2
Input High Voltage
V
IH
2.0
-
V
CC
+0.3
V
2
Input Low Voltage
V
IL
-0.3
-
0.8
V
2
Note: V
IH
(max.) = V
CC
/V
CC
Q+1.2V for pulse width < 5 nS
V
IL
(min.) = V
SS
/V
SS
Q-1.2V for pulse width < 5 nS
Capacitance
(V
CC
= 3.3V, T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
Input Capacitance
(A0 to A10, BS0, BS1, CS, RAS , CAS , WE , DQM,
CKE)
C
i
2.5
4
pf
Input Capacitance (CLK)
C
CLK
2.5
4
pf
Input/Output Capacitance (DQ0
DQ31)
C
o
4
6.5
pf
Note: These parameters are periodically sampled and not 100% tested
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| W9864G6GH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
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