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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W9864G6DB-7 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 4 BANKS x 16 BITS SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 0.65 MM PITCH, BGA-60 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/48頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1283K |
| 代理商： | W9864G6DB-7 |
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W986432DH
Publication Release Date: September 4, 2001
- 15 -
Revision A3
DC Characteristics
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V, T
A
= 0
°
70
°
C for -5/-6/-7/-7L,T
A
= -25 to 85
°
C for -6I)
PARAMETER
SYM.
-5
-6/-6I
-7/-7L
UNIT
NOTES
MAX.
MAX.
MAX.
Operating Current
t
CK
= min., t
RC
= min.
Active precharge command
cycling without burst operation
1 bank operation
I
CC1
110
90
80
3
Standby Current
t
CK
= min.,
CS
= V
IH
V
IH/L
= V
IH
(min.)/V
IL
(max.)
CKE = V
IH
I
CC2
45
35
30
3
Bank: inactive state
CKE = V
IL
(Power
Down mode)
I
CC2P
1
1
1
3
Standby Current
CLK = V
IL
,
CS
= V
IH
V
IH/L
=V
IH
(min.) /V
IL
(max.)
CKE = VIH
I
CC2S
8
8
8
BANK: inactive state
CKE = V
IL
(Power
Down mode)
I
CC2PS
1
1
1
mA
No Operating Current
t
CK
= min.,
CS
= V
IH
(min.)
CKE = V
IH
I
CC3
70
60
55
BANK: active state (4 banks)
CKE = V
IL
(Power
Down mode)
I
CC3P
5
5
5
Burst Operating Current
(t
CK
= min.)
Read/Write command cycling
I
CC4
190
165
145
3, 4
Auto Refresh Current
(t
CK
= min.)
Auto refresh command cycling
I
CC5
125
120
110
3
Standard (-5/-6/-7)
I
CC6
1
1
1
Self Refresh Current
CKE = 0.2V
Self refresh mode
Low Power(-6I/,-7L)
I
CC6L
-
400
400
μ
A
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
NOTES
Input Leakage Current
(0V
≤
V
IN
≤
V
CC
, all other pins not under test = 0V)
I
I
(L)
-5
5
μ
A
Output Leakage Current
(Output disable, 0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
Q)
V
O
(L)
-5
5
μ
A
LVTTL Output
″
H
″
Level Voltage
(I
OUT
= -2 mA)
V
OH
2.4
-
V
LVTTL Output
"
L
″
Level Voltage
(I
OUT
= 2 mA)
V
OL
-
0.4
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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