參數(shù)資料
型號(hào)： WED9LC6816V1312BC
廠商： WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP
元件分類(lèi)： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153
封裝： 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153
文件頁(yè)數(shù)： 11/26頁(yè)
文件大?。?/td> 324K
代理商： WED9LC6816V1312BC
WED9LC6816V
19
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
September, 2003
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
FIG. 11 SDRAM READ & WRITE CYCLE AT DIFFERENT BANK @
BURST LENGTH = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
SDCK
SDRAS#
SDWE#
SDCAS#
ADDR
RAa
CAa
RBb
CBb
RAc
CAc
BA0, 1
[A12,A13]
CL=2
QAa1
QAa0
QAa2 QAa3
DBb2
DBb0 DBb1
DBb3
Note 1
QAc0 QAc1 QAc2
QAa0
QAa3
QAa1 QAa2
DBb2
DBb0 DBb1
DBb3
QAc0 QAc1
tCDL
CL=3
DQ
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
DON’T CARE
SDCE#
BWE#
SDA10
RAa
RBb
RAc
NOTES:
1.
tCDL should be met to complete write.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W3EG2256M72ASSR202JD3SG 512M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184
W3EG2256M72ASSR263AJD3SG 512M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
W3DG6463V10D2-S 64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168
WF128K32-150G4I 512K X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 150 ns, CQFP68
WF2M32-80G4TC 8M X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 80 ns, CQFP68
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WED9LC6816V1312BI 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1510BC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1510BI 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1512BC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1512BI 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
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