- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄140416 > WED9LC6816V1312BC (WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP) SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | WED9LC6816V1312BC |
| 廠商： | WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153 |
| 文件頁數(shù)： | 5/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 324K |
| 代理商： | WED9LC6816V1312BC |
第1頁第2頁第3頁第4頁當(dāng)前第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁
WED9LC6816V
13
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
September, 2003
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
FIG. 5 SDRAM SINGLE BIT READ-WRITE-READ CYCLE (SAME PAGE) @
CAS LATENCY = 3, BURST LENGTH = 1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
SDCK
SDCE#
SDRAS#
SDCAS#
ADDR
BA0, 1
[A12,A13]
SDA10
DQ
SDWE#
tCC
tCH
tCL
tRCD
tRAS
tSS
tSH
tRCD
tSS
tSH
tSS
tSH
tSS
tSH
tSS
tSH
tCCD
tRP
tRAC
tSAC
tSLZ
tOH
tSS
tSH
Ra
Ca
Cb
Cc
Rb
BS
Ra
Rb
Qa
Db
Qc
Row Active
Read
Write
Read
Precharge
Row Active
DON’T CARE
BWE#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG2256M72ASSR202JD3SG | 512M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184 |
| W3EG2256M72ASSR263AJD3SG | 512M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| W3DG6463V10D2-S | 64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168 |
| WF128K32-150G4I | 512K X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 150 ns, CQFP68 |
| WF2M32-80G4TC | 8M X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 80 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED9LC6816V1312BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1510BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1510BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1512BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1512BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。