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參數(shù)資料
| 型號： | WED9LC6816V1610BI |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封裝： | MO-163, BGA-153 |
| 文件頁數(shù)： | 11/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 370K |
| 代理商： | WED9LC6816V1610BI |
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19
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
WED9LC6816V
January 2001
FIG. 10 SDRAM PAGE WRITE CYCLE AT DIFFERENT BANK @ BURST LENGTH = 4
CAc
CBd
RBb
CAa
RAa
Write
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write
(B-Bank)
Precharge
(Both Banks)
Write
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
RAa
DAa3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
DAc0
DAc1
DBd0
DBd1
DAa1
DAa0
DAa2
DON’T CARE
CBb
Note 2
Note 1
RBb
tRDL
tCDL
SDRAS
SDCAS
ADDR
BA
BWE
SDA10
SDCLK
SDCE
DQ
SDWE
NOTES:
1. To interrupt burst write by Row precharge, BWE should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt a burst read by Row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS512K32BV-20G2MEA | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WEDPNF8M721V-1210BC | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA275 |
| WS128K32N-100HSC | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CPGA66 |
| WMF128K8-150DESMD5A | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, CDSO32 |
| WF2M32-90H2C | 8M X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 90 ns, CPGA66 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED9LC6816V1612BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1612BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2012BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
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