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參數(shù)資料
| 型號： | WED9LC6816V1610BI |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封裝： | MO-163, BGA-153 |
| 文件頁數(shù)： | 16/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 370K |
| 代理商： | WED9LC6816V1610BI |
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White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
WED9LC6816V
January 2001
FIG. 14 SDRAM WRITE INTERRUPTED BY PRECHARGE COMMAND & WRITE BURST STOP @
BURST LENGTH = FULL PAGE
CAb
CAa
RAa
DQ
Precharge
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Burst Stop
Write
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
DON’T CARE
RAa
DAa0
DAa1
DAa2
DAa3
DAa4
DAb1
DAb0
DAb3
DAb2
DAb5
DAb4
Note 2
tRDL
tBDL
SDRAS
SDCAS
ADDR
BA
BWE
SDA10
SDCLK
SDCE
SDWE
NOTES:
1. At full page mode, burst is end at the end of burst. So auto precharge is possible.
2. Data-in at the cycle of interrupted by precharge can not be written into the corresponding memory cell. It is defined by AC parameter of tRDL.
BWE at write interrupt by precharge command is needed to prevent invalid write.
BWE should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst. Input data after Row precharge cycle will be masked
internally.
3. Burst stop is valid at every burst length.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS512K32BV-20G2MEA | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WEDPNF8M721V-1210BC | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA275 |
| WS128K32N-100HSC | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CPGA66 |
| WMF128K8-150DESMD5A | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, CDSO32 |
| WF2M32-90H2C | 8M X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 90 ns, CPGA66 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED9LC6816V1612BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1612BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2012BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
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