參數(shù)資料
型號(hào)： WED9LC6816V1610BI
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153
封裝： MO-163, BGA-153
文件頁(yè)數(shù)： 14/27頁(yè)
文件大?。?/td> 370K
代理商： WED9LC6816V1610BI
21
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
WED9LC6816V
January 2001
FIG. 12 SDRAM READ & WRITE CYCLE WITH AUTO PRECHARGE @ BURST LENGTH = 4
Cb
Ca
Rb
Ra
CL = 2
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Row Active
(A-Bank)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Ra
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
Qa1
Qa0
Qa2
DON’T CARE
Rb
CL = 3
DQ
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
Qa1
Qa0
Qa2
SDRAS
SDCAS
ADDR
BA
BWE
SDA10
SDCLK
SDCE
SDWE
NOTES:
1. tCDL should be controlled to meet minimum tRAS before internal precharge start.
(In the case of Burst Length = 1 & 2 and BRSW mode)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WS512K32BV-20G2MEA 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68
WEDPNF8M721V-1210BC SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA275
WS128K32N-100HSC 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CPGA66
WMF128K8-150DESMD5A 128K X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, CDSO32
WF2M32-90H2C 8M X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 90 ns, CPGA66
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WED9LC6816V1612BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1612BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V2010BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V2010BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V2012BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
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