參數(shù)資料
型號(hào)： 28F016SA
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) FlashFile Memory(16-M位(1 M位 x 16, 2 M位 x 8) FlashFile存儲(chǔ)器)
中文描述： 16兆位（1兆位× 16，2兆位× 8）FlashFile內(nèi)存（16米位（1米位× 16，2米位× 8）FlashFile存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 24/55頁(yè)
文件大?。?/td> 849K
代理商： 28F016SA
28F016SA
E
24
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TEST POINTS
INPUT
OUTPUT
2.0
0.8
0.8
2.0
2.4
0.45
0489_06
AC test inputs are driven at V
(2.4 VTTL) for a Logic
“1” and V
OL
(0.45 VTTL) for a Logic “0.” Input timing begins at V
IH
(2.0 VTTL) and V
IL
(0.8 VTTL). Output timing ends at V
IH
and V
IL
. Input rise and fall times (10% to 90%) <10 ns.
Figure 7. Transient Input/Output Reference Waveform (V
CC
= 5.0V ± 10%)
for Standard Test Configuration
(1)
TEST POINTS
INPUT
OUTPUT
1.5
3.0
0.0
1.5
0489_07
AC test inputs are driven at 3.0V for a Logic
“1” and 0.0V for a Logic “0.” Input timing begins, and output timing ends, at 1.5V.
Input rise and fall times (10% to 90%) <10 ns.
Figure 8. Transient Input/Output Reference Waveform (V
CC
= 3.3V ±
10%
)
High Speed Reference Waveform
(2)
(V
CC
= 5.0V ± 5%)
NOTES:
1.
2.
Testing characteristics for 28F016SA-080/28F016SA-100.
Testing characteristics for 28F016SA-070/28F016SA-120/28F016SA-150.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F016XD 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲(chǔ)器)
28F016XS 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲(chǔ)器)
28F020 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲(chǔ)器)
28F128J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器)
28F320J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F016SA/DD28F032SA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INFORMATION
28F016SA-070 制造商:undefined 功能描述:
28F016SC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:28F016SC - BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile MEMORY FAMILY 4. 8. AND 16 MBIT
28F016SV 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) FlashFile MEMORY
28F016XD 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16) DRAM-INTERFACE FLASH MEMORY
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