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參數資料
| 型號： | 29F200C-90 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200萬位[256Kx8/128Kx16]的CMOS閃存 |
| 文件頁數： | 21/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 447K |
| 代理商： | 29F200C-90 |
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21
P/N:PM1250
REV. 1.0 , DEC. 14, 2005
MX29F200C T/B
DC CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
TYP
MAX.
UNIT
CONDITIONS
ICC1 (Read)
Operating VCC Current
40
mA
IOUT=0mA, f=5MHz
ICC2
50
mA
IOUT=0mA, F=10MHz
ICC3 (Program)
50
mA
In Programming
ICC4 (Erase)
50
mA
In Erase
ICCES
VCC Erase Suspend Current
2
mA
CE#=VIH, Erase Suspended
NOTES:
1. VIL min. = -0.6V for pulse width is equal to or less than 20ns.
2. If VIH is over the specified maximum value, programming operation cannot be guaranteed.
3. ICCES is specified with the device de-selected. If the device is read during erase suspend mode, current draw is
the sum of ICCES and ICC1 or ICC2.
4. All current are in RMS unless otherwise noted.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F256 | 262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
| 29F4000 | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 29F256 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
| 29F2875 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00E General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2876 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00H General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2877 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00J General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2879 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00M General Purpose Single Pole Switch |
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