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參數(shù)資料
| 型號： | 29F200C-90 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200萬位[256Kx8/128Kx16]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 31/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 447K |
| 代理商： | 29F200C-90 |
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31
P/N:PM1250
REV. 1.0 , DEC. 14, 2005
MX29F200C T/B
ERASE SUSPEND/ERASE RESUME FLOWCHART
Note: If the system implements an endless erase suspend/resume loop, or the number of erase suspend/resume is
exceeded 1024 times, then the 400us time delay must be put into consideration.
START
Write Data B0H
Toggle Bit checking Q6
not toggled
ERASE SUSPEND
YES
NO
Write Data 30H
Delay 400us (note)
Continue Erase
Reading or
Programming End
Read Array or
Program
Another
Erase Suspend
NO
YES
YES
NO
ERASE RESUME
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F256 | 262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
| 29F4000 | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F256 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
| 29F2875 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00E General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2876 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00H General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2877 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00J General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2879 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00M General Purpose Single Pole Switch |
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