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參數(shù)資料
| 型號： | 29F200C-90 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200萬位[256Kx8/128Kx16]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 23/44頁 |
| 文件大小： | 447K |
| 代理商： | 29F200C-90 |
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23
P/N:PM1250
REV. 1.0 , DEC. 14, 2005
MX29F200C T/B
SWITCHING TEST CIRCUITS
SWITCHING TEST WAVEFORMS for 29F200C T/B-70 and 29F200C T/B-90
SWITCHING TEST WAVEFORMS for 29F200C T/B-55
2.0V
2.0V
0.8V
0.8V
TEST POINTS
0.7xVCC
0.45V
AC TESTING: Inputs are driven at 0.7xVCC for a logic "1" and 0.45V for a logic "0".
Input pulse rise and fall times are < 10ns.
OUTPUT
INPUT
1.5V
1.5V
TEST POINTS
3.0V
0V
AC TESTING: Inputs are driven at 3.0V for a logic "1" and 0V for a logic "0".
Input pulse rise and fall times are < 5ns.
OUTPUT
INPUT
DEVICE UNDER
TEST
DIODES=IN3064
OR EQUIVALENT
CL
6.2K ohm
2.7K ohm
+5V
CL=100pF Including jig capacitance for 70ns and 90ns
CL=30pF Including jig capacitance for 55ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F256 | 262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
| 29F4000 | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F256 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
| 29F2875 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00E General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2876 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00H General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2877 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00J General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2879 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00M General Purpose Single Pole Switch |
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