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參數(shù)資料
| 型號： | 29F200C-90 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200萬位[256Kx8/128Kx16]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 38/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 447K |
| 代理商： | 29F200C-90 |
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38
P/N:PM1250
REV. 1.0 , DEC. 14, 2005
MX29F200C T/B
MIN.
MAX.
Input Voltage with respect to GND on all pins except I/O pins
-1.0V
13.5V
Input Voltage with respect to GND on all I/O pins
-1.0V
VCC + 1.0V
Current
-100mA
+100mA
Includes all pins except Vcc. Test conditions: Vcc = 5.0V, one pin at a time.
LATCH-UP CHARACTERISTICS
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE(1)
Note:
1. Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2. Typical values measured at 25
°
C,5V.
3. Maximum values measured at worst condition: 90
°
C, 4.5V, 100K cycles.
PARAMETER
MIN.
UNIT
Data Retention Time
20
Years
DATA RETENTION
LIMITS
TYP.(2)
PARAMETER
MIN.
MAX.(3)
UNITS
Sector Erase Time
0.7
15
sec
Chip Erase Time
4
32
sec
Byte Programming Time
9
300
us
Word Programming Time
11
360
us
Chip Programming Time
Byte Mode
2.3
6.8
sec
Word Mode
1.5
4.5
sec
Erase/Program Cycles
100,000
Cycles
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F256 | 262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
| 29F4000 | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F256 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
| 29F2875 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00E General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2876 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00H General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2877 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00J General Purpose Single Pole Switch |
| 29F2879 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00M General Purpose Single Pole Switch |
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