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參數(shù)資料
| 型號： | 29LV650 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 64M (4M x 16) BIT |
| 中文描述： | 64M號（4米× 16）位 |
| 文件頁數(shù)： | 32/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | 29LV650 |
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MBM29LV650UE/651UE-
90/12
32
Write (Erase/Program) Operations
(Continued)
Parameter Symbols
Description
90
12
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
35
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
ns
—
t
OEH
Output Enable Hold Time
Read
Min.
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min.
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE Hold Time
Min.
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min.
35
50
ns
t
ELEH
t
CP
CE Pulse Width
Min.
35
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min.
30
30
ns
t
EHEL
t
CPH
CE Pulse Width High
Min.
30
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Word Programming Operation
Typ.
16
16
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
1
1
s
—
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min.
50
50
μs
—
t
VIDR
Rise Time to V
ID
(Note 2)
Min.
500
500
ns
—
t
VACCR
Rise Time to V
ACC
(Note 3)
Min.
500
500
ns
—
t
VLHT
Voltage Transition Time (Note 2)
Min.
4
4
μs
—
t
WPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
100
μs
—
t
OESP
OE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
μs
—
t
CSP
CE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
μs
—
t
RP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
ns
—
t
RH
RESET Hold Time Before Read
Min.
200
200
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29LV800BB-70 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BB-90 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-70 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-90 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BE | 8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29LV800BB-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BB-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| 29LV800BT-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
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