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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29LV650 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 64M (4M x 16) BIT |
| 中文描述： | 64M號(hào)（4米× 16）位 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | 29LV650 |
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MBM29LV650UE/651UE-
90/12
34
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
PIN CAPACITANCE
Note: Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
10
s
Excludes programming time
prior to erasure
Programming Time
—
16
360
μs
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
—
200
s
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycle
—
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
6
7.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8.5
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
8
10
pF
C
IN3
ACC Pin Capacitance
V
IN
= 0
15
20
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29LV800BB-70 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BB-90 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-70 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-90 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BE | 8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29LV800BB-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BB-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| 29LV800BT-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
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