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參數(shù)資料
| 型號： | 29LV650 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 64M (4M x 16) BIT |
| 中文描述： | 64M號（4米× 16）位 |
| 文件頁數(shù)： | 38/57頁 |
| 文件大小： | 625K |
| 代理商： | 29LV650 |
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MBM29LV650UE/651UE-
90/12
38
Figure 7 Alternate CE Controlled Program Operation Timing Diagram
Notes: 1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
t
CP
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
WE
OE
Addresses
Data
t
AS
t
CPH
t
DH
DQ
7
A0h
D
OUT
CE
XXXh
PA
PA
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
WS
t
WH
t
GHEL
PD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29LV800BB-70 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BB-90 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-70 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-90 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BE | 8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29LV800BB-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BB-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| 29LV800BT-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
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