參數(shù)資料
型號: 2N5630
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Complementary Silicon NPN Power Transistor(16A,200W,120V(集電極-發(fā)射極),補償型硅NPN功率晶體管)
中文描述: 16 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝: TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大小: 118K
代理商: 2N5630
2N5630 2N5631 2N6030 2N6031
http://onsemi.com
2
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2.0%.
(2) f
T
= |h
fe
|
f
test
OFF CHARACTERISTICS
CE
B
(I
C
= 200 mAdc, I
B
= 0)
I
EBO
120
2.0
2.0
(V
CE
= 60 Vdc, I
B
= 0)
CEO
7.0
mAdc
mAdc
(V
CE
= Rated V
CB
, V
EB(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 150 C)
Collector–Emitter Cutoff Current
I
CEX
5.0
mAdc
Emitter–Base Cutoff Current
BE
C
(V
CB
= Rated V
CB
, I
E
= 0)
I
2.0
mAdc
C
CE
FE
15
60
2.0
(I
C
= 16 Adc, I
B
= 4.0 Adc)
(I
C
= 10 Adc, I
B
= 1.0 Adc)
CE(sat)
1.8
Vdc
Base–Emitter On Voltage
V
BE(on)
1.5
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 20 Vdc, f
test
= 0.5 MHz)
2N5630, 31
2N6030, 31
1.0
500
1000
MHz
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 0.1 MHz)
C
ob
pF
Small–Signal Current Gain
h
fe
15
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PDF描述
2N6030 Complementary Silicon PNP Power Transistor(16A,200W,120V(集電極-發(fā)射極),補償型硅PNP功率晶體管)
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2N6031 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
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2N5638RLRA JFET Chopper Transistors
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