參數(shù)資料
型號: 2N5630
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Complementary Silicon NPN Power Transistor(16A,200W,120V(集電極-發(fā)射極),補償型硅NPN功率晶體管)
中文描述: 16 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝: TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 118K
代理商: 2N5630
2N5630 2N5631 2N6030 2N6031
http://onsemi.com
7
Notes
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6030 Complementary Silicon PNP Power Transistor(16A,200W,120V(集電極-發(fā)射極),補償型硅PNP功率晶體管)
2N5631 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
2N6031 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
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參數(shù)描述
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2N5631/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High-Voltage High-Power Transistors
2N5631G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5632 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 10A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N5633 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 10A 3PIN TO-3 - Bulk