參數(shù)資料
型號： 2N5630
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon NPN Power Transistor(16A，200W，120V（集電極-發(fā)射極），補償型硅NPN功率晶體管)
中文描述： 16 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 118K
代理商： 2N5630
2N5630 2N5631 2N6030 2N6031
http://onsemi.com
5
V
V
1000
0.2
Figure 7. Capacitance
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
5.0
10
20
50
100
200
0.5
1.0
2.0
C
700
500
300
200
T
J
= 25
°
C
C
ib
C
ob
NPN
2N5630, 2N5631
2000
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
200
C
700
500
300
T
J
= 25
°
C
NPN
2N5630, 2N5631
1000
Figure 8. DC Current Gain
500
0.2
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
20
200
70
50
30
20
10
7.0
300
100
h
T
J
= 150
°
C
25
°
C
-55
°
C
10
V
CE
= 2.0 V
V
CE
= 10 V
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
Figure 9. Collector Saturation Region
2.0
0.05
I
B
, BASE CURRENT (AMP)
0
0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
5.0
1.2
0.8
0.4
I
C
= 4.0 A
T
J
= 25
°
C
8.0 A
16 A
1.6
3.0
I
B
, BASE CURRENT (AMP)
0.2
5.0
10
20
50
100
200
0.5
1.0
2.0
C
ib
C
ob
500
0.2
5.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
20
200
70
50
30
20
10
7.0
300
100
10
T
J
= +150
°
C
+25
°
C
-55
°
C
V
CE
= 2.0 V
V
CE
= 10 V
2.0
0.05
0
0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
5.0
1.2
0.8
0.4
1.6
3.0
I
C
= 4.0 A
8.0 A
16 A
T
J
= 25
°
C
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PDF描述
2N6030 Complementary Silicon PNP Power Transistor(16A，200W，120V（集電極-發(fā)射極），補償型硅PNP功率晶體管)
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