型號(hào): | 2N6075 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 晶閘管 |
英文描述: | 4 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(4A(均方根值),600V,硅雙向晶閘管) |
中文描述: | 600 V, 4 A, TRIAC, TO-225AA |
文件頁(yè)數(shù): | 1/8頁(yè) |
文件大?。?/td> | 73K |
代理商: | 2N6075 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N6077 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package |
2N6079 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package |
2N6097 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 6A I(C) | SOT-123VAR |
2N6098 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AA |
2N60B | 600V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N6075A | 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
2N6075A | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRIAC 4A 600V TO-126 |
2N6075AG | 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
2N6075B | 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
2N6075BG | 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |