參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6075
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： 4 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(4A（均方根值），600V，硅雙向晶閘管)
中文描述： 600 V, 4 A, TRIAC, TO-225AA
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： 2N6075
2N6071A/B Series
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
TO225
CASE 7709
ISSUE Z
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 07701 THRU 08 OBSOLETE, NEW STANDARD
07709.
B
U
A
M
K
F
C
Q
H
V
G
S
D
J
R
1
3
2
2 PL
M
A
M
0.25 (0.010)
B
M
M
A
M
0.25 (0.010)
B
M
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
MIN
0.425
0.295
0.095
0.020
0.115
0.094 BSC
0.050
0.015
0.575
5 TYP
0.148
0.045
0.025
0.145
0.040
MAX
0.435
0.305
0.105
0.026
0.130
MIN
10.80
7.50
2.42
0.51
2.93
MAX
11.04
7.74
2.66
0.66
3.30
MILLIMETERS
INCHES
2.39 BSC
1.27
0.39
14.61
5 TYP
3.76
1.15
0.64
3.69
1.02
0.095
0.025
0.655
2.41
0.63
16.63
0.158
0.065
0.035
0.155
4.01
1.65
0.88
3.93
STYLE 5:
PIN 1.
MT 1
MT 2
GATE
2.
3.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6077 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package
2N6079 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package
2N6097 TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 6A I(C) | SOT-123VAR
2N6098 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AA
2N60B 600V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6075A 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075A 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRIAC 4A 600V TO-126
2N6075AG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075B 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075BG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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