參數(shù)資料
型號： 2N6075
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： 4 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(4A（均方根值），600V，硅雙向晶閘管)
中文描述： 600 V, 4 A, TRIAC, TO-225AA
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 73K
代理商： 2N6075
2N6071A/B Series
http://onsemi.com
5
I
T(AV)
, AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMP)
140
120
100
80
60
40
20
0
20
40
60
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
2.0
3.0
0.5
0.3
0.7
1.0
120
3.0
60
40
20
0
20
40
60
80
100
140
OFF-STATE VOLTAGE = 12 Vdc
ALL MODES
OFF-STATE VOLTAGE = 12 Vdc
ALL MODES
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
120
°
90
°
30
°
dc
0
2.0
4.0
8.0
6.0
4.0
3.0
2.0
1.0
I
T(RMS)
, RMS ON-STATE CURRENT (AMP)
3.0
0
0
2.0
4.0
6.0
0
1.0
2.0
8.0
4.0
α
= 30
°
60
°
90
°
120
°
180
°
dc
I
T(AV)
, AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMP)
80
3.0
90
70
100
0
1.0
2.0
110
4.0
60
°
120
°
dc
α
= CONDUCTION ANGLE
a
a
a
α
= CONDUCTION ANGLE
a
70
80
3.0
100
0
1.0
I
T(RMS)
, RMS ON-STATE CURRENT (AMP)
2.0
90
α
a
110
120
°
180
°
dc
90
°
α
= 30
°
a
a
α
= CONDUCTION ANGLE
4.0
180
°
α
= 30
°
90
°
α
= CONDUCTION ANGLE
60
°
60
°
T
C
°
T
C
°
P
(
V
P
(
I
α
= 180
°
Figure 1. Average Current Derating
Figure 2. RMS Current Derating
Figure 3. Power Dissipation
Figure 4. Power Dissipation
Figure 5. Typical GateTrigger Voltage
Figure 6. Typical GateTrigger Current
,
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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2N6075B 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075BG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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