參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6075
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 晶閘管
英文描述： 4 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(4A（均方根值），600V，硅雙向晶閘管)
中文描述： 600 V, 4 A, TRIAC, TO-225AA
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： 2N6075
2N6071A/B Series
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted; Electricals apply in both directions)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
*Peak Repetitive Blocking Current
(V
D
= Rated V
DRM
, V
RRM;
Gate Open)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 110
°
C
I
DRM,
I
RRM
10
2
A
mA
ON CHARACTERISTICS
*Peak On-State Voltage (Note 3)
(I
TM
=
*Gate Trigger Voltage (Continuous DC), All Quadrants
(Main Terminal Voltage = 12 Vdc, R
L
= 100 , T
J
= 40
°
C)
Gate NonTrigger Voltage, All Quadrants
(Main Terminal Voltage = 12 Vdc, R
L
= 100 , T
J
= 110
°
C)
*Holding Current
(Main Terminal Voltage = 12 Vdc, Gate Open, Initiating Current =
6.0 A Peak)
V
TM
V
GT
2
V
V
1.4
2.5
V
GD
0.2
V
1 Adc)
T
J
= 40
°
C
T
J
= 25
°
C
I
H
30
15
mA
Turn-On Time (I
TM
= 14 Adc, I
GT
= 100 mAdc)
t
gt
1.5
s
QUADRANT
(Maximum Value)
Type
I
GT
@
T
J
I
mA
II
mA
III
mA
IV
mA
Gate Trigger Current (Continuous DC)
(Main Terminal Voltage = 12 Vdc R
(Main Terminal Voltage = 12 Vdc, R
L
= 100 )
2N6071A
2N6073A
2N6075A
+25
°
C
5
5
5
10
40
°
C
20
20
20
30
2N6071B
2N6073B
2N6075B
+25
°
C
3
3
3
5
40
°
C
15
15
15
20
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Critical Rate of Rise of Commutation Voltage
@ V
DRM
, T
J
= 85
°
C, Gate Open, I
TM
= 5.7 A, Exponential Waveform,
Commutating di/dt = 2.0 A/ms
dv/dt(c)
5
V/ s
3. Pulse Test: Pulse Width
≤
2.0 ms, Duty Cycle
≤
2%.
*Indicates JEDEC Registered Data.
Trigger devices are recommended for gating on Triacs. They provide:
1. Consistent predictable turn-on points.
2. Simplified circuitry.
3. Fast turn-on time for cooler, more efficient and reliable operation.
SAMPLE APPLICATION:
TTL-SENSITIVE GATE 4 AMPERE TRIAC
TRIGGERS IN MODES II AND III
0 V
V
EE
V
EE
= 5.0 V
MC7400
4
14
7
+
510
2N6071A
LOAD
115 VAC
60 Hz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6077 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package
2N6079 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package
2N6097 TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 6A I(C) | SOT-123VAR
2N6098 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AA
2N60B 600V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6075A 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075A 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRIAC 4A 600V TO-126
2N6075AG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075B 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075BG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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