參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6075
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： 4 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(4A（均方根值），600V，硅雙向晶閘管)
中文描述： 600 V, 4 A, TRIAC, TO-225AA
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： 2N6075
2N6071A/B Series
http://onsemi.com
4
+ Current
+ Voltage
V
TM
I
H
Symbol
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
Parameter
Peak Repetitive Forward Off State Voltage
Peak Forward Blocking Current
Peak Repetitive Reverse Off State Voltage
Peak Reverse Blocking Current
Voltage Current Characteristic of Triacs
(Bidirectional Device)
I
DRM
at V
DRM
on state
off state
I
RRM
at V
RRM
Quadrant 1
MainTerminal 2 +
Quadrant 3
MainTerminal 2
V
TM
I
H
Maximum On State Voltage
Holding Current
MT1
(+) I
GT
GATE
(+) MT2
REF
MT1
() I
GT
GATE
(+) MT2
REF
MT1
(+) I
GT
GATE
() MT2
REF
MT1
() I
GT
GATE
() MT2
REF
MT2 NEGATIVE
(Negative Half Cycle)
MT2 POSITIVE
(Positive Half Cycle)
+
Quadrant III
Quadrant IV
Quadrant II
Quadrant I
Quadrant Definitions for a Triac
I
GT
+ I
GT
All polarities are referenced to MT1.
With inphase signals (using standard AC lines) quadrants I and III are used.
SENSITIVE GATE LOGIC REFERENCE
IC Logic F nctions
IC Logic Functions
Firing Quadrant
I
II
III
IV
TTL
2N6071A Series
2N6071A Series
HTL
2N6071A Series
2N6071A Series
CMOS (NAND)
2N6071B Series
2N6071B Series
CMOS (Buffer)
2N6071B Series
2N6071B Series
Operational Amplifier
2N6071A Series
2N6071A Series
Zero Voltage Switch
2N6071A Series
2N6071A Series
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6077 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package
2N6079 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package
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2N6098 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AA
2N60B 600V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6075A 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075A 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRIAC 4A 600V TO-126
2N6075AG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075B 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075BG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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