參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/14頁(yè)
文件大?。?/td> 538K
代理商： 2N7002
2N7000.SAM Rev. A1
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
9.0
4.0
8.0
3.0
7.0
V = 10V
D
5.0
6.0
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
D
R
D
V = 10V
I = 500m A
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.8
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
G
I = 1 m A
V = V
GS
V
t
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V =4.0V
R
D
7.0
4.5
10
5.0
6.0
9.0
8.0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
J
25°C
-55°C
V = 10V
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
0
2
4
6
8
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
TJ
25°C
125°C
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,開態(tài)漏極電流0.5A，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS場(chǎng)效應(yīng)管)
2N7007 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
2N7008-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7008 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,開態(tài)漏極電流0.5A，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS場(chǎng)效應(yīng)管)
2N7008 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
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參數(shù)描述
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2N7002 H6327 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002 L6327 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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