參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大?。?/td> 538K
代理商： 2N7002
TO-92 Tape and Reel Data and Package Dimensions
September 1999, Rev. B
TO-92 Packaging
Configuration:
Figure 1.0
AMMO PACK OPTION
See Fig 3.0 for 2 Ammo
Pack Options
2000 units per
Estd option
FSCINT Label
530mm x 130mm x
Intermediate box
83mm
per
intermediate box
FSCINT Label
114mm x 102mm x 51mm
Immediate Box
Anti-static
Bubble Sheets
(TO-92) BULK PACKING INFORMATION
EOL
DESCRIPTION
LEADCLIP
QUANTITY
J18Z
TO-18 OPTION STD
NO LEAD CLIP
2.0 K / BOX
J05Z
TO-5 OPTION STD
NO LEAD CLIP
1.5 K / BOX
CODE
TO-92 STANDARD
STRAIGHT
NO LEADCLIP
2.0 K / BOX
BULK OPTION
See Bulk Packing
Information table
375mm x 267mm x 375mm
Intermediate Box
FSCINT
Label
Customized
Label
333mm x 231mm x 183mm
Intermediate Box
FSCINT
Label
Customized
Label
TO-92 TNR/AMMO PACKING INFROMATION
Packing
Style
Quantity
EOL code
Reel
A
2,000
D26Z
E
2,000
D27Z
Ammo
M
2,000
D74Z
P
2,000
D75Z
Unit weight = 0.22 gm
Reel weight with components = 1.04 kg
Ammo weight with components = 1.02 kg
Max quantity per intermediate box = 10,000 units
F63TNR
Label
5Intermediate Box
Customized
Label
327mm x 158mm x 135mm
Immediate Box
LOT:
CBVK741B019
NSID:
PN2222N
D/C1:
D9842
SPEC REV:
B2
QA REV:
SPEC:
QTY:
10000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
HTB:B
(FSCINT)
F63TNR
Label
Customized
Label
5 Reels per
Intermediate Box
TAPE and REEL OPTION
See Fig 2.0 for various
Reeling Styles
LOT: CBVK741B019
FSID: PN222N
D/C1: D9842 QTY1:
SPEC REN/F: F (F63TNR)3
SPEC:
QTY: 2000
QTY2:
F63TNR Label sample
FSCINT Label sample
C
Label
5 EO70 boxes per
intermediate Box
ustomized
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,開態(tài)漏極電流0.5A，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS場(chǎng)效應(yīng)管)
2N7007 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
2N7008-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7008 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,開態(tài)漏極電流0.5A，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS場(chǎng)效應(yīng)管)
2N7008 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002 _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
2N7002 215 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
2N7002 BK 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:115mA（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500
2N7002 H6327 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002 L6327 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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