參數(shù)資料
型號： 2N7002
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強型場效應管)
中文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大小： 538K
代理商： 2N7002
2N7000.SAM Rev. A1
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.925
0.95
0.975
1
1.025
1.05
1.075
1.1
D
B
D
S
S
I = 250μA
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.001
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
I
S
V = 0V
J
25°C
-55°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I =500m A
V = 25V
115m A
280m A
1
2
3
5
10
20
30
50
1
2
5
10
20
40
60
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
Input, Vin
Output, Vout
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
t
r
t
d(on)
Inverted
10%
Pulse Width
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Current and Temperature
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics
(continued)
2N7000 / 2N7002 /NDS7002A
相關PDF資料
PDF描述
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2N7002 L6327 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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