參數(shù)資料
型號(hào)： BFG197A/XR
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 10/13頁(yè)
文件大小： 114K
代理商： BFG197A/XR
1995 Sep 13
6
Philips Semiconductors
Product specication
NPN 7 GHz wideband transistor
BFG197; BFG197/X;
BFG197/XR
Fig.11 Minimum noise figure as a function of
collector current.
VCE =6V.
handbook, halfpage
F
(dB)
100
MCD161
10
1
4
2
1
0
3
I
(mA)
C
f = 2 GHz
1 GHz
500 MHz
Fig.12 Minimum noise figure as a function of
frequency.
VCE =6V.
handbook, halfpage
10 4
MCD162
103
10
2
4
2
1
0
3
F
(dB)
f (MHz)
20 mA
10 mA
I
= 50 mA
C
Fig.13 Intermodulation distortion, typical values.
VCE =8V; Vo = 700 mV; f(p+qr) = 793.25 MHz; Tamb =25 °C.
handbook, halfpage
20
120
45
70
65
MBB266
60
55
50
40
60
80
100
d im
(dB)
I
(mA)
C
Fig.14 Second order intermodulation distortion,
typical values.
VCE = 8 V; Vo = 50 mV; f(p+qr) = 810 MHz; Tamb =25 °C.
handbook, halfpage
20
120
35
60
55
MBB268
50
45
40
60
80
100
d 2
(dB)
I
(mA)
C
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