參數(shù)資料
型號(hào)： BFG197A/XR
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
文件大?。?/td> 114K
代理商： BFG197A/XR
1995 Sep 13
2
Philips Semiconductors
Product specication
NPN 7 GHz wideband transistor
BFG197; BFG197/X;
BFG197/XR
FEATURES
High power gain
Low noise figure
Gold metallization ensures
excellent reliability.
DESCRIPTION
The BFG197 is a silicon NPN
transistor in a 4-pin, dual-emitter
plastic SOT143 envelope. It is
primarily intended for wideband
applications in the GHz range, such
as satellite TV systems and repeater
amplifiers in fibre-optic systems.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
BFG197 (Fig.1) Code: V5
1
collector
2
base
3
emitter
4
emitter
BFG197/X (Fig.1) Code: V13
1
collector
2
emitter
3
base
4
emitter
BFG197A/XR (Fig.2) Code: V35
1
collector
2
emitter
3
base
4
emitter
Fig.1 SOT143.
handbook, 2 columns
Top view
MSB014
12
3
4
Fig.2 SOT143XR.
handbook, 2 columns
Top view
MSB035
1
2
4
3
QUICK REFERENCE DATA
Note
1. TS is the temperature at the soldering point of the collector tab.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
20
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
10
V
IC
collector current
DC value
100
mA
Ptot
total power dissipation
up to Ts =75 °C; note 1
350
mW
Cre
feedback capacitance
IC =ic = 0; VCB = 8 V; f = 1 MHz
0.85
pF
fT
transition frequency
IC = 50 mA; VCE = 4 V; f = 2 GHz
7.5
GHz
GUM
maximum unilateral
power gain
IC = 50 mA; VCE =6V;
Tamb =25 °C; f = 1 GHz
16
dB
IC = 50 mA; VCE =6V;
Tamb =25 °C; f = 2 GHz
10
dB
F
noise gure
Γs = Γopt; IC = 15 mA; VCE =8V;
Tamb =25 °C; f = 1 GHz
1.7
dB
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BFG197W/X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343
BFG197W/XR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343R
BFG198 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistor
BFG198 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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