參數(shù)資料
型號: BFG197A/XR
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù): 9/13頁
文件大?。?/td> 114K
代理商: BFG197A/XR
1995 Sep 13
5
Philips Semiconductors
Product specication
NPN 7 GHz wideband transistor
BFG197; BFG197/X;
BFG197/XR
Fig.7 Gain as a function of collector current.
VCE = 4 V; f = 1 GHz.
handbook, halfpage
020
40
80
20
15
5
0
10
MCD157
60
I
(mA)
C
(dB)
gain
MSG
GUM
Gmax
Fig.8 Gain as a function of frequency.
VCE = 4 V; IC =50mA.
handbook, halfpage
50
0
10
MCD158
10
2
10
3
10
4
20
30
40
f (MHz)
(dB)
gain
MSG
GUM
G max
Fig.9 Gain as a function of frequency.
VCE = 6 V; IC = 50 mA.
handbook, halfpage
0
10
MCD159
10
2
10
3
10
4
50
10
20
30
40
f (MHz)
gain
(dB)
MSG
GUM
G max
Fig.10 Gain as a function of frequency.
VCE = 8 V; IC =30mA.
handbook, halfpage
50
0
10
MCD160
10
2
10
3
10
4
20
30
40
gain
(dB)
f (MHz)
GUM
G max
MSG
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BFG198 T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel