參數(shù)資料
型號: BFG197A/XR
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù): 3/13頁
文件大?。?/td> 114K
代理商: BFG197A/XR
1995 Sep 13
11
Philips Semiconductors
Product specication
NPN 7 GHz wideband transistor
BFG197; BFG197/X;
BFG197/XR
SPICE parameters for BFQ195 crystal
Note
1. These parameters have not been extracted,
the default values are shown.
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
1
IS
1.972
fA
2
BF
150.0
3
NF
990.8
m
4
VAF
54.72
V
5
IKF
30.00
A
6
ISE
47.82
fA
7
NE
1.580
8
BR
165.4
9
NR
993.9
m
10
VAR
2.351
V
11
IKR
9.967
A
12
ISC
3.510
aA
13
NC
1.124
14
RB
5.000
15
IRB
1.000
A
16
RBM
5.000
17
RE
368.1
m
18
RC
937.2
m
19 (note 1)
XTB
0.000
20 (note 1)
EG
1.110
EV
21 (note 1)
XTI
3.000
22
CJE
3.388
pF
23
VJE
600.0
mV
24
MJE
302.9
m
25
TF
11.06
ps
26
XTF
30.02
27
VTF
1.649
V
28
ITF
401.9
mA
29
PTF
0.000
deg
30
CJC
1.190
pF
31
VJC
160.1
mV
32
MJC
89.44
m
33
XCJC
130.0
m
34
TR
2.148
ns
35 (note 1)
CJS
0.000
F
36 (note 1)
VJS
750.0
mV
37 (note 1)
MJS
0.000
38
FC
785.9
m
List of components (see Fig.22)
DESIGNATION
VALUE
UNIT
Cbe
84
fF
Ccb
17
fF
Cce
191
fF
L1
0.12
nH
L2
0.21
nH
L3
0.06
nH
LB
0.95
nH
LE
0.40
nH
Fig.22 Package equivalent circuit SOT143;
SOT143R.
QLB = 50; QLE = 50.
QLB,E (f) = QLB,E √ (f/Fc).
Fc = scaling frequency = 1000 MHz.
handbook, halfpage
MBC964
B
E
C
B'
C'
E'
L B
L E
L3
L1
L2
C cb
Cbe
ce
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BFG198 T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel