參數(shù)資料
型號: BFG197A/XR
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù): 12/13頁
文件大小: 114K
代理商: BFG197A/XR
1995 Sep 13
8
Philips Semiconductors
Product specication
NPN 7 GHz wideband transistor
BFG197; BFG197/X;
BFG197/XR
Zo =50 .
Fig.17 Noise circle figure.
handbook, full pagewidth
0.2
0.5
1
2
5
10
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
0.2
*
Gmax
9.7 dB
F
= 3.5 dB
min
MCD165
*
0.5
1
10
5
2
OPT
9 dB
6 dB
4 dB
8 dB
5 dB
0.2
VCE = 6 V; IC = 50 mA.
Fig.18 Common emitter input reflection coefficient (S11).
handbook, full pagewidth
0.2
0.5
1
2
5
10
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+
j
j
MCD166
40 MHz
3 GHz
0.5
1
10
5
2
0.2
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BFG198 T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel