參數(shù)資料
型號(hào)： BLF4G22S-100
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor - Application: W-CDMA ; Description: Basestation LDMOS RF POWER Transistor ; Efficiency: 26@W-CDMA %; Frequency: 2000 - 2200 MHz; Load power: 24 avg (W-CDMA) W; Operating voltage: 28 VDC; Power gain: 13.5 dB
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, LDMOST, 2 PIN
文件頁數(shù)： 14/14頁
文件大小： 82K
代理商： BLF4G22S-100
9397 750 14338
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 10 January 2006
9 of 14
Philips Semiconductors
BLF4G22-100; BLF4G22S-100
UHF power LDMOS transistor
9.
Package outline
Fig 8.
Package outline SOT502A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT502A
99-12-28
03-01-10
0
5
10 mm
scale
Flanged LDMOST ceramic package; 2 mounting holes; 2 leads
SOT502A
p
L
A
F
b
D
U2
H
Q
c
1
3
2
D1
E
A
C
q
U1
C
B
E1
M
w2
UNIT
A
mm
D
b
12.83
12.57
0.15
0.08
20.02
19.61
9.53
9.25
19.94
18.92
9.91
9.65
4.72
3.43
c
U2
0.25
0.51
27.94
qw2
w1
F
1.14
0.89
U1
34.16
33.91
L
5.33
4.32
p
3.38
3.12
Q
1.70
1.45
EE1
9.50
9.30
inches
0.505
0.495
0.006
0.003
0.788
0.772
D1
19.96
19.66
0.786
0.774
0.375
0.364
0.785
0.745
0.390
0.380
0.186
0.135
0.01
0.02
1.100
0.045
0.035
1.345
1.335
0.210
0.170
0.133
0.123
0.067
0.057
0.374
0.366
H
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
w1
AB
M
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PDF描述
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BLF4G22LS-130 UHF power LDMOS transistor - Efficiency: 26 %; Frequency band: 2000 - 2200 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 33 W; Package material: SOT502B ; Power gain: 13.5 dB
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