參數(shù)資料
型號(hào)： BLF4G22S-100
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor - Application: W-CDMA ; Description: Basestation LDMOS RF POWER Transistor ; Efficiency: 26@W-CDMA %; Frequency: 2000 - 2200 MHz; Load power: 24 avg (W-CDMA) W; Operating voltage: 28 VDC; Power gain: 13.5 dB
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, LDMOST, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/14頁(yè)
文件大小： 82K
代理商： BLF4G22S-100
9397 750 14338
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 10 January 2006
11 of 14
Philips Semiconductors
BLF4G22-100; BLF4G22S-100
UHF power LDMOS transistor
10. Abbreviations
Table 11:
Abbreviations
Acronym
Description
3GPP
Third Generation Partnership Project
CW
Continuous Wave
CCDF
Complementary Cumulative Distribution Function
DPCH
Dedicated Physical Channels
IDq
quiescent drain current
LDMOS
Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor
PAR
Peak-to-Average Ratio
PEP
Peak Envelope Power
RF
Radio Frequency
TM1
Test Model 1
VSWR
Voltage Standing Wave Ratio
W-CDMA
Wideband Code Division Multiple Access
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLF4G22-130 UHF power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 26 %; Frequency band: 2000 - 2200 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 33 W; Package material: SOT502A ; Power gain: 13.5 dB
BLF4G22LS-130 UHF power LDMOS transistor - Efficiency: 26 %; Frequency band: 2000 - 2200 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 33 W; Package material: SOT502B ; Power gain: 13.5 dB
BLF6G10LS-200R Power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 27.5 %; Frequency band: 869 - 894 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 40 W; Package material: SOT502B ; Power gain: 20 dB
BLF6G10LS-200 Power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 27 %; Frequency band: 800-1000 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 40 W; Package material: SOT502B ; Power gain: 20 dB
BLF872 UHF power LDMOS transistor - Description: UHF LDMOS POWER Transistor ; Efficiency: 55 %; Frequency band: 470-860 GHz; Output power: 300 W; Package material: SOT800A ; Power gain: 16.5 dB
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參數(shù)描述
BLF4G22S-100,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF5 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱(chēng):Littelfuse 功能描述:Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget
BLF521 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:UHF power MOS transistor
BLF521,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANSISTOR UHF PWR DMOS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF522 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:UHF power MOS transistor
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