參數(shù)資料
型號： CY7C2566KV18-450BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 8M X 8 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 17/28頁
文件大小： 831K
代理商： CY7C2566KV18-450BZI
PRELIMINARY
CY7C2566KV18, CY7C2577KV18
CY7C2568KV18, CY7C2570KV18
Document Number: 001-15889 Rev. *D
Page 24 of 28
Switching Waveforms
Read/Write/Deselect Sequence [30, 31, 32]
Figure 7. Waveform for 2.5 Cycle Read Latency
1
2
3
4
5
6
7
89
10
READ
NOP
WRITE
t
NOP
11
LD
R/W
A
tKH tKL
tCYC
tHC
tSA tHA
DON’T CARE
UNDEFINED
SC
A0
A1
A2
A3
A4
CQ
K
QVLD
t
NOP
DQ
K
tCCQO
tCQOH
tCCQO
tCQOH
QVLD
t
QVLD
t
QVLD
t
KHKH
12
READ
(Read Latency = 2.5 Cycles)
NOP
tCLZ
tCHZ
CQDOH
Q00
Q11
Q01 Q10
tDOH
tCO
Q40
tSD
HD
tSD
tHD
D20 D21
D30
D31
t
tCQD
t
tCQH
tCQHCQH
Notes
30. Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, that is, A0 + 1.
31. Outputs are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
32. In this example, if address A4 = A3, then data Q40 = D30 and Q41 = D31. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole diagram.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C293AL-35WC 2K X 8 UVPROM, 35 ns, CDIP24
CY7C474-15DI 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, CDIP28
CY7C474-15PI 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PDIP28
CZ12010T0050GBK 0 MHz - 3000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION
CZ5360D 25 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-201AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C25682KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25682KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25682KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25682KV18-500BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 500MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25682KV18-550BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 2.9v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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