參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C2566KV18-450BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 8M X 8 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 23/28頁(yè)
文件大?。?/td> 831K
代理商： CY7C2566KV18-450BZI
PRELIMINARY
CY7C2566KV18, CY7C2577KV18
CY7C2568KV18, CY7C2570KV18
Document Number: 001-15889 Rev. *D
Page 4 of 28
Pin Configuration
The pin configuration for CY7C2566KV18, CY7C2577KV18, CY7C2568KV18, and CY7C2570KV18 follow. [2]
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
CY7C2566KV18 (8M x 8)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
CQ
AA
R/W
NWS1
K
NC/144M
LD
AA
CQ
B
NC
A
NC/288M
K
NWS0
ANC
NC
DQ3
C
NC
VSS
AAA
VSS
NC
D
NC
VSS
NC
E
NC
DQ4
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ2
F
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
G
NC
DQ5
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
H
DOFF
VREF
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VREF
ZQ
J
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ1
NC
K
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
L
NC
DQ6
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ0
M
NC
VSS
NC
N
NC
VSS
AAA
VSS
NC
P
NC
DQ7
A
QVLD
A
NC
R
TDO
TCK
AA
A
ODT
AAA
TMS
TDI
CY7C2577KV18 (8M x 9)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
CQ
AA
R/W
NC
K
NC/144M
LD
AA
CQ
B
NC
A
NC/288M
K
BWS0
ANC
NC
DQ3
C
NC
VSS
AAA
VSS
NC
D
NC
VSS
NC
E
NC
DQ4
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ2
F
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
G
NC
DQ5
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
H
DOFF
VREF
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VREF
ZQ
J
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ1
NC
K
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
L
NC
DQ6
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ0
M
NC
VSS
NC
N
NC
VSS
AAA
VSS
NC
P
NC
DQ7
A
QVLD
A
NC
DQ8
R
TDO
TCK
AA
A
ODT
AAA
TMS
TDI
Note
2. NC/144M and NC/288M are not connected to the die and can be tied to any voltage level.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C293AL-35WC 2K X 8 UVPROM, 35 ns, CDIP24
CY7C474-15DI 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, CDIP28
CY7C474-15PI 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PDIP28
CZ12010T0050GBK 0 MHz - 3000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION
CZ5360D 25 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-201AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C25682KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25682KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25682KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25682KV18-500BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 500MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25682KV18-550BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 2.9v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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