參數(shù)資料
型號: CYDD18S72V18-167BGI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: SRAM
英文描述: 256K X 72 DUAL-PORT SRAM, 9 ns, PBGA484
封裝: 23 X 23 MM, 2.03 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-484
文件頁數(shù): 15/53頁
文件大?。?/td> 2422K
代理商: CYDD18S72V18-167BGI
FullFlex
Document #: 38-06072 Rev. *I
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ISB1
Standby Current
(Both Ports TTL Level)
CEL and CER ≥ VIH,
f = fMAX
512Kx72
SDR[30]
Com.
N/A
1000
1250
920
1160
mA
Ind.
N/A
970
1260
mA
512Kx36x2
DDR
Com.
N/A
920
1160
830
1060
mA
Ind.
N/A
880
1170
mA
1024Kx18x2
DDR
Com.
N/A
820
1050
740
960
mA
Ind.
N/A
790
1080
mA
256Kx72
SDR[30]
Com.
570
700
500
630
N/A
mA
Ind.
N/A
530
680
N/A
mA
256Kx36x2
DDR
Com.
500
630
460
580
N/A
mA
Ind.
N/A
490
630
N/A
mA
512Kx18x2
DDR
Com.
460
570
410
530
N/A
mA
Ind.
N/A
440
580
N/A
mA
128Kx72
SDR[30]
Com.
460
560
400
490
N/A
mA
Ind.
N/A
420
540
N/A
mA
128Kx36x2
DDR
Com.
400
490
360
450
N/A
mA
Ind.
N/A
380
490
N/A
mA
256Kx18x2
DDR
Com.
380
440
340
400
N/A
mA
Ind.
N/A
360
430
N/A
mA
64Kx72
SDR[30]
Com.
440
520
380
450
N/A
mA
Ind.
N/A
390
480
N/A
mA
64Kx36x2
DDR
Com.
380
450
340
400
N/A
mA
Ind.
N/A
350
430
N/A
mA
128Kx18x2
DDR
Com.
360
400
320
360
N/A
mA
Ind.
N/A
330
370
N/A
mA
Electrical Characteristics Over the Operating Range (continued)
Parameter
Description
Configuration
–200[27]
–167[27]
–133
Unit
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Typ.
Max.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CYW2330ZITR PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 2500 MHz, PDSO20
CYW311OXCT 200 MHz, PROC SPECIFIC CLOCK GENERATOR, PDSO48
CZ23EH-FREQ-OUT23 VCXO, CLOCK, 1.25 MHz - 65 MHz, CMOS/TTL OUTPUT
CZM4-2000 VCO, 1950 MHz - 2800 MHz
CZSH5-40C 2.5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CYDD18S72V18-200BBC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 256KX72 0.5NS 484BGA - Bulk
CYDD18S72V18-200BBXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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